在電力電子系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體分立器件的性能直接影響整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此，準(zhǔn)確地測(cè)量和理解這些器件在各種工作條件下的動(dòng)態(tài)特性是設(shè)計(jì)和應(yīng)用的關(guān)鍵。雙脈沖測(cè)試作為一種評(píng)估這些特性的標(biāo)準(zhǔn)方法，能夠提供關(guān)于器件行為的深入洞察。
 

　　雙脈沖測(cè)試簡(jiǎn)介
 

　　一、什么是雙脈沖測(cè)試
 

　　雙脈沖測(cè)試的基本原理是在受控的實(shí)驗(yàn)環(huán)境中，對(duì)MOSFET或IGBT施加兩個(gè)短暫的脈沖信號(hào)。
 

　　第一個(gè)脈沖用于將器件從關(guān)閉狀態(tài)切換到開啟狀態(tài)，以獲得一定電流，而第二個(gè)脈沖則是用來(lái)模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的再次開啟。
 

　　通過(guò)測(cè)量器件在兩次脈沖之間的響應(yīng)，包括開關(guān)時(shí)間、開關(guān)能量、電流和電壓波形等，可以詳細(xì)了解器件的動(dòng)態(tài)性能。
 

　　二、為什么要進(jìn)行雙脈沖測(cè)試
 

　　雙脈沖測(cè)試能夠模擬功率半導(dǎo)體在電路中真實(shí)的工作狀態(tài)，特別是開關(guān)過(guò)程中的動(dòng)態(tài)行為，達(dá)到以下幾種效果：
 

　　1、測(cè)定器件的開關(guān)時(shí)間、損耗以及其他關(guān)鍵性能參數(shù)，為設(shè)計(jì)高效和可靠的電力電子系統(tǒng)提供關(guān)鍵參考。
 

　　2、揭示器件在高速開關(guān)和大電流負(fù)載下的熱行為和電壓應(yīng)力情況，以預(yù)測(cè)器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和故障率。
 

　　3、優(yōu)化器件的驅(qū)動(dòng)策略，提高系統(tǒng)的整體性能和效率。
 

　　功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試能力
 

　　一、測(cè)試設(shè)備
 

　　我司具備完整的動(dòng)態(tài)測(cè)試平臺(tái)，適應(yīng)各類型分立器件的開關(guān)、反向恢復(fù)測(cè)試。
 

　　設(shè)備特點(diǎn)：
 

　　●  針對(duì)SiC MOS及IGBT設(shè)計(jì)
 

　　●  800 V/150 A的工作范圍
 

　　●  可自定義脈沖寬度

 

　　二、測(cè)試案例
 

　　1、Switching Time
 

　　2、Reverse Recovery
 

　　功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試服務(wù)介紹
 

　　廣電計(jì)量引進(jìn)國(guó)內(nèi)外的測(cè)試技術(shù)和設(shè)備，具備功率半導(dǎo)體器件的全參數(shù)測(cè)試能力。
 

　　在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，針對(duì)SiC功率器件的高壓、高溫、大功率等特點(diǎn)，現(xiàn)行的測(cè)試技術(shù)及設(shè)備已不能有效模擬出器件的工作壽命和偏置下的應(yīng)力狀態(tài)廣電計(jì)量采用全新的硬件設(shè)計(jì)方案及制板工藝成功實(shí)現(xiàn)高達(dá)1000V的HV-H3TRB和HV-HAST和高達(dá)225°C的HTXB試驗(yàn)?zāi)芰Γ浞烛?yàn)證SiC功率器件的極限工作穩(wěn)定性，彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)器件可靠性驗(yàn)證技術(shù)的空白。為國(guó)內(nèi)三分之二的功率器件企業(yè)提供參數(shù)測(cè)試、可靠性試驗(yàn)及失效分析。
 

　　第三代半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域合作客戶超過(guò)80家，樣品數(shù)量三十余萬(wàn)件。成功案例：順利為包括泰科天潤(rùn)、瞻芯電子、三安集成、清純半導(dǎo)體、基本半導(dǎo)體、愛仕特等在內(nèi)企業(yè)提供SBD、MOS的全套AEC-0101認(rèn)證服務(wù)。